Samsung presentó una nueva generación de memorias diseñadas especialmente para impulsar la inteligencia artificial, durante el evento Future of Memory and Storage (FMS) 2026, celebrado en California, Estados Unidos. La compañía mostró tecnologías que prometen hacer que los sistemas de IA sean mucho más rápidos, eficientes y con mayor capacidad de procesamiento.
Entre las principales novedades destacan nuevos diseños de memoria en tres dimensiones (3D), que permiten colocar los chips de memoria uno sobre otro para reducir el tiempo que tardan los datos en viajar. Esto se traduce en un mejor rendimiento para tareas exigentes, como el entrenamiento de modelos de inteligencia artificial y el funcionamiento de grandes centros de datos.
La empresa también presentó su nueva memoria V10 BV-NAND, que supera las 400 capas, una cifra que aumenta considerablemente la capacidad de almacenamiento sin ocupar más espacio físico. Además, esta tecnología mejora la velocidad de lectura y escritura de datos y reduce el consumo de energía.
Otra de las innovaciones fue la presentación de los conceptos zHBM y zNAND-O, dos arquitecturas pensadas para el futuro de la IA. Según Samsung, estos diseños permitirán que los aceleradores de inteligencia artificial trabajen con mayor rapidez, menor generación de calor y un uso más eficiente de la energía.
Además de las memorias, Samsung mostró nuevas soluciones de almacenamiento para servidores y centros de datos, buscando responder al crecimiento acelerado de la inteligencia artificial, que cada vez requiere procesar y guardar cantidades mucho mayores de información.
Con este anuncio, Samsung deja claro que su estrategia no se limita a fabricar teléfonos o dispositivos electrónicos, sino que también busca liderar el desarrollo de la infraestructura tecnológica que hará posible la próxima generación de aplicaciones de inteligencia artificial en todo el mundo.
